KARAKTERISTIK TRANSISTOR

1 .1. KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Sebelum membahas karakteristik dan daerah kerja Transistor, perlu disepakati terlebih dahulu beberapa simbol tegangan yang terdapat pada Transistor. Rangkaian Transistor memiliki tiga tipe tegangan. Ketiga tipe tegangan itu adalah:

 • Sumber Tegangan Transistor : VBB dan VCC

• Tegangan Terminal Transistor : VB, Vc dan VE

 • Tegangan Lintas Persambungan : VBE, VCE, dan VCB

Sebagaimana yang tampak pada Gambar 1 .1 di bawah ini.

Gambar 1 .1. Tegangan-tegangan pada Rangkaian Transistor

            Karakteristik yang paling penting dari Transistor adalah grafik Dioda KolektorEmiter, yang biasa dikenal dengan Kurva Tegangan-Arus (V-I Curve). Kurva ini menggambarkan arus Kolektor, IC, dengan tegangan lintas persambungan Kolektor – Emiter, VCE, dimana harga-harga tersebut diukur dengan arus Basis, IB, yang berbedabeda. Rangkaian yang digunakan untuk mendapatkan kurva tampak pada Gambar 1 .2 di bawah ini.

Gambar 1 .2 Rangkaian Transistor Common Emitter untuk Kurva Tegangan-Arus

            Hasil pengukuran rangkaian Transistor tersebut ditunjukkan secara kualitatif pada Gambar 1 .3. Kurva tersebut mengindikasikan bahwa terdapat 4 (empat) buah daerah operasi, yaitu:

• Daerah Potong (Cutoff Region)

• Daerah Saturasi (Saturation Region)

 • Daerah Aktif (Active Region), dan

 • Daerah Breakdown.

dimana setiap daerah memiliki karakteristik masing-masing. Fungsi dan kegunaan Transistor dapat diketahui dengan memahami karakteristik-karakteristik Transistor tersebut. Disamping itu, perancangan dan analisa Transistor sesuai dengan fungsinya juga akan berdasarkan karakteristik ini.

Gambar 1 .3. Kurva Karakteristik Transistor

Karakteristik dari masing-masing daerah operasi Transistor tersebut dapat diringkas sebagai berikut:
• Daerah Potong:
Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan elektron, sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus Kolektor, IC = 0, atau disebut ICEO (Arus Kolektor ke Emiter dengan harga arus Basis adalah 0).
• Daerah Saturasi
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan maju. Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung kepada arus Basis, IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan Transistor menjadi komponen yang tidak dapat dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini, Dioda Kolektor harus diberi prateganan mundur, dengan tegangan melebihi VCE(sat) yaitu tegangan yang menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.
• Daerah Aktif
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi prategangan mundur. Terjadi sifat-sifat yang diinginkan, dimana:

IE = IC + IB                                                                                                                                                                                         (1 .1)

atau
IC = βdc IB                                                                                                                                                                                             (1 .2)
dan

tau
IC = αdc IE                                                                                                                                                                                              (1 .3)

sebagaimana penjelasan pada bagian sebelumnya. Transistor menjadi komponen
yang dapat dikendalikan.
• Daerah Breakdown

Dioda Kolektor diberiprategangan mundur yang melebihi tegangan Breakdownnya, BVCEO (tegangan breakdown dimana tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis adalah nol). Sehingga arus Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang dibolehkan. Transistor dapat mengalami kerusakan.

referensi

www.um.ac.id 
daftar pustaka

killa reski,(2012), Laboratorium Listrik Dasar , makasar: Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Hasanuddin  Elektronika dan Pengukuran Listrik 2

Elektronika dan Pengukuran Listrik 2